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      mos管公式-分享MOS管公式驅動電流、飽和區電流等-KIA MOS管

      信息來源:本站 日期:2020-02-27 

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      mos管公式-分享MOS管公式驅動電流、飽和區電流等

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      mos管公式-MOS管驅動電流的估算

      mos管公式驅動電流的估算第一種:


      可以使用如下公式估算:


      Ig=Qg/Ton


      其中:


      Ton=t3-t0≈td(on)+tr


      td(on):MOS導通延遲時間,從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。


      Tr:上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間


      Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)


      mos管公式驅動電流的估算第二種:

      密勒效應時間(開關時間)Ton/off=Qgd/Ig;


      Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;


      Ig:MOS柵極驅動電流;Vb:穩態柵極驅動電壓;


      mos管公式驅動電流的估算第三種:

      以IR的IRF640為例,看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通(密勒效應)假定你希望在0.2us內使管子開通,估計總時間(先上升然后水平再上升)為0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:


      67nC/0.4us=0.1675A,當然,這是峰值,僅在管子開通和關短的各0.2us里有電流,其他時間幾乎沒有電流,平均值很小,但如果驅動芯片不能輸出這個峰值,管子的開通就會變慢。


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      mos管公式飽和區電流公式及其詳解

      mos管公式飽和區電流公式,在強反型狀態下飽和區中的工作。小信號參數的值因MOS晶體管的工作區域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態,而且工作在飽和區,求這種狀況下的小信號參數。


      可將跨導gm表示如下:


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      在能夠疏忽溝道長度調制效應的狀況下,得到


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      這個跨導gm能夠用漏極電流ID表示為


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      也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為


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      體跨導gmb能夠由下式求得:


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      由式(1.18)和式(1.20),能夠分別導出


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      所以得到


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